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컴퓨터를 사는 것은 오늘 구매자가 기가헤르쯔, DDR, FSB, 듀얼-채널 같이 던져진 기술 용어 및 하이퍼 스레드인 더 복잡한 프로세스가 되고 있다. 전통적으로, 기가헤르쯔 수, 또는 처리기 속도는, 지금까지 항상 어떤 컴퓨터 구입든지에 있는 중요한 요소이었다. 기가헤르쯔 수가 증가하는 만큼, 이렇게 컴퓨터 성능을 한다. 오늘, 기가헤르쯔 수는 더 이상 시스템 성능 결정을 위한 유일한 표준이 아니다.

듀얼-채널 기억 장치
대부분의 현대 어미판은 지금 렘의 데이타 처리량을 두배로 하는 듀얼-채널 기억 장치를 지원한다. 듀얼-채널 가능하게 하는 것은 간단하게 쌍체 비교에 있는 기억 장치 슬롯의 사람을 거주케 하를 의미한다.

대부분의 듀얼-채널 시스템에는 4개의 기억 장치 DIMM 소켓이 있을 것이다. 2개의 소켓은 채널 통신로 B.에 채널 통신로 A와 다른 2개의 소켓에 속한다. 최대 듀얼-채널 기억 장치 성과를 위해, 동일하게 두 DIMM 0 슬롯 전부에 있는 256MB DIMMs와 일치하고 두 DIMM 1 슬롯 전부에 있는 512MB DIMMs 일치에서 폐쇄에서 폐쇄하는 예를 들면 채널 통신로 A와 B.의 DIMM 소켓 0에 있는 기억 장치 단위와 "일치해야" 한다.

단위와 "일치하는 것은" 의미한다:
1. 두 단위 다 동일한 수용량이다 (예를들면 둘 다 256MB이다)
2. 두 단위 다 동일한 속도이다 (예를들면 둘 다 PC2700이다)
3. 둘 다 칩의 동일한 수가 있고 단위는 편든다 (예를들면 둘 다 단위에 칩의 동일한 수가 있다 둘 다 single-sided 이다.)

듀얼-채널 작업 흐름 및 대역폭
듀얼-채널 기억 장치는 2개의 처리기에 데이터를 공급하기 위하여 채널 통신로를 이용해, 그로 인하여 두번 배달할 수 있 단일 통로의 데이터까지. 저것은 때문이어 이기 데이터를 2개의 기억 장치 단위 쌍에서 동시에 송신하기 받기.

채널 통신로를 데이터로 지나치게 넣어지기에서 방지하거나 채널 통신로를 통해서 데이터의 교류를 반전하기 위하여, "기억 장치 관제사"를 저이라고 칭한 칩이 손잡이이라고 모든 데이타 전송 있다. 기억 장치 관제사는 처리기와 기억 장치 단위 사이 데이터의 모든 운동을 처리한다. 듀얼-채널 기억 장치로, 기억 장치 관제사는 single-channel 기억 장치로 일반적으로 이동할 수 있던 데이터 두 배 피크 양을 이동할 수 있다. 기억 장치 산업은 초에 있는 피크 대역폭에 있는 일반적으로 기억 장치 성과를 기술한다.

기억 장치의 최대 데이타 처리량을 기술하기 위하여는, 그것의 피크 대역폭을 산출하십시오. 비트가, `0' 또는 `1'를 나타내는 곳에 초당 (1개의 바이트 = 8개 비트) 바이트의 통계로 표현된 이 계산은, 기억 장치의 성과의 일반 아이디어를 준다. 피크 대역폭을 산출하기 위하여는 이 공식을 이용하십시오:

채널 통신로의 채널 통신로 x 수 당 옮겨지는 기억 장치 속도 x 바이트 수.

예를 들면 PC3200, 일컬어 DDR400 의 듀얼-채널 어미판에 단위는 피크 대역폭으로, = (400 메가헤르츠) x (8개의 바이트) x (2개의 채널 통신로) = 6400MB/s 또는 6.4GB/s. 산출한다.

처리기의 정면 측 버스를 보기
기억 장치 관제사에 처리기의 링크는 처리기의 정면 측 버스이라고 (FSB) 칭한다. 정면 측 버스는 얼마나 빨리 처리기가 기억 장치 관제사에서 데이터를 얻을 수 있는지 결정한다. 효율성을 증가하기 위하여는, 기억 장치 관제사는 처리기가 데이터를 전송할 수 있는 것처럼 기억 장치 단위으로 저장하기 위하여 빨리) 처리기가 그것을 받을 수 있는 것처럼 데이터를 빨리 송신할 필요가 있다 (와 그것을. 피크 효율성은 기억 장치 단위가' 처리기의 정면 측 버스에서만 데이타 처리량에 의하여 처리량 일치할 때 도달된다.

듀얼-채널 기억 장치를 가능하게 하기
듀얼-채널 기억 장치를 지원하는 시스템의 대다수는 단일 통로 또는 듀얼-채널 기억 장치 최빈값에서 구성될 수 있다. 두 기억 장치 채널 통신로 다 듀얼-채널 최빈값에서 이용되고 있다는 것을 비록 새로운 컴퓨터 또는 어미판이 듀얼-채널 DDR 기억 장치를 지원하더라도, 이것은 필요하게 보장하지 않는다는 것을 명심하십시오. 그들의 소켓으로 정당한 플러그 다중 기억 장치 단위 듀얼-채널 기억 장치를 얻을 수 없다. 사용자는 듀얼-채널 기억 장치 성과를 얻는는다는 것을 보증하기 위하여 기억 장치 단위를 추가할 때 특정 규칙을 준행할 필요가 있다. 그렇지 않으면, 그들의 시스템은 single-channel 기억 장치 최빈값으로 다시 떨어질 수 있다.

단 하나에서 듀얼-채널 PC3200 기억 장치에 가는 것은 15% 이상 시스템 성능을 곁에 증가한다. single-channel PC2700에서 듀얼-채널 PC3200에 가는 것은 25% 이상 성과를 곁에 증가한다. 추가적으로, 시스템 성능은 거의 5%로 실제로 총 기억 장치의 1GB가 512MB 대신에 사용될 때 증가한다.

결론
듀얼-채널 DDR 메모리 시스템은 시스템 성능에 있는 새로운 수준을 제안한다. 더 빠른 기억 장치를 결합하는 것은 듀얼-채널 기억 장치 플래트홈으로, 만든다 새로운 가격/성능 가치 수준을 속력을 낸다. 듀얼-채널 기억 장치 성과는 일치되는 기억 장치 단위가 쌍에서서만 추가되고 정확한 소켓 윤곽에 설치될 때 실현된다. 그렇지 않으면, 시스템은 낮 실행 의 single-channel 기억 장치 최빈값에 복귀할 것이다. 미래 년에서는, 우리는 듀얼-채널 기억 장치 플래트홈을 그 유효한 보다는 더 빠른 기억 장치 조차 오늘 요구하는 볼 것으로 예상해서 좋다.

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저자에 관하여: Jerry Costas는 UpgradeComputerMemory.com를 위한 작가이고 20 년의 경험 이상 컴퓨터 기억 장치 산업에 있는 있다. UpgradeComputerMemory.com는 기억 장치 향상의 주요한 공급자이다.

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